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晶電LED燈泡采用硅基氮化鎵技術 電源模組縮75%

星之球激光 來源:LEDinside2015-04-01 我要評論(0 )   

LED外延大廠晶電發(fā)表最新技術,概念燈泡的電源模組采用硅基氮化鎵(GaN-on-Si,在硅基板上生長氮化鎵)功率半導體,可將電源模組

LED外延大廠晶電發(fā)表最新技術,概念燈泡的電源模組采用硅基氮化鎵(GaN-on-Si,在硅基板上生長氮化鎵)功率半導體,可將電源模組體積大幅縮小75%。如果量產成功,晶電將從LED領域跨足功率半導體,拉出市場新戰(zhàn)線。初期這項技術用于晶電自家LED燈泡,未來可望延伸至手機、筆電、甚至冰箱、洗衣機等的電源。

全球都在開發(fā)功率半導體的新材料,近年較熱門的是GaN-on-Si。包括美國麻省理工學院、韓國三星、日本東芝都在積極研發(fā)。晶電是全球LED外延龍頭,原本就擅長在藍寶石基板上生長GaN的技術(主要用于LED照明和背光領域),因此若要研發(fā)在硅基板上生長GaN,相對具有優(yōu)勢。

功率半導體的應用分為兩大塊,一是通訊微波的功率放大,一是電源管理,后者市場相當龐大,小從LED燈泡內的電源模組,大到手機、筆電、家電甚至電動車的電源。

在上周的2015 LED Taiwan展覽中,晶電研發(fā)副總謝明勛發(fā)表一款新的概念燈泡,其中的電源模組,就是采用GaN-on-Si技術,成功將電源模組的體積減少了75%。謝明勛表示,目前電源管理使用的功率半導體,多采用硅晶圓,改用GaN-on-Si的好處是能源效率更好、可容許更大電壓、體積大幅縮小。

日本大廠東芝(Toshiba)在三月初的東京照明展也發(fā)表類似技術,在LED燈泡中采用GaN-on-Si技術,不過僅限于功率半導體的單一元件,體積減少4成。相形之下,晶電的技術是用于整顆電源功率模組,體積大減75%。

業(yè)界人士分析,這項技術還在萌芽階段,一旦成功,等于發(fā)現(xiàn)市場新大陸,晶電將可從傳統(tǒng)LED跨足功率半導體市場。

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LED燈泡晶電硅基氮化鎵技術
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