為提高微波光子濾波器的性能，武漢光電國家研究中心光電子器件與集成功能實驗室張新亮教授、于源講師和學生劉小龍等人提出了一個基于微環(huán)耦合級聯(lián)馬赫曾德爾干涉儀結構的微波光子濾波器（如圖1所示）。實驗結果表明，在硅基波導傳輸損耗為1.65dB/cm的工藝水平下，該濾波器實現(xiàn)了60dB以上的超過抑制比，帶寬為780MHz，并且調(diào)諧范圍達到0-40GHz（如圖2所示），是目前已知的第一個無需外部電子器件輔助而同時實現(xiàn)超高抑制比和窄帶寬的硅基微波光子濾波器。這一研究發(fā)現(xiàn)可直接應用于未來的硅基光子集成技術中。

圖1 （a）器件結構示意圖（b）實際器件顯微圖

   
圖2 （a）超高抑制比實驗結果（b）濾波器調(diào)諧性

        2018年3月13日，該研究成果以題目“Silicon-on-insulator-based microwave photonic filter with narrowband and ultrahigh peak rejection”發(fā)表在美國光學學會（OSA）旗下雜志《光學快報》（Optics Letters）上。該研究成果獲得了國家優(yōu)秀青年科學基金和國家自然科學基金的支持。 發(fā)表的文章全文鏈接為：
https://doi.org/10.1364/OL.43.001359